型号:BT134-600D(2A,600V) | 电流:2(A) | 电压:600(V) |
触发电流:<5 mA(A) | 结温:110(℃) | 封装形式:SOT-82(TO-126T) |
控制方式:双向 |
?产品类别:2A 双向可控硅 |
?工业型号:BT134-600D |
?封装形式:SOT-82(TO-126两种封装) |
?电流/IT(RMS):≤ 2 A |
?电压/VDRM:≥600V |
?触发电流/IGT: |
IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(象限) |
IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) |
IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) |
IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) |
?触发电压/VGT:0.7~1.5V |
?门极散耗功率:0.1W |
?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
?器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS) |
?包装规格:袋装, 每包1Kpcs, 每盒10Kpcs |
管装,每管50PCS,每盒1K,每箱10K |
?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应) |
型号:BT131-600电压:600(V) 封装形式:TO-92控制方式:双向 ?产品类别:小电流 双向可控硅 ?工业型号:BT131-600 ?封装形式:TO-92 ?电流/IT(RMS):≥ 1 A ?电压/VDRM:≥600V ?触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):0.4~3.0 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):1.3~3.0 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):1.4~3.0 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):3.8~7.0 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:0.7~1.5V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS) ?包装规格:袋装, 每包1Kpcs, 每盒10Kpcs 一盒/10K起出货,原包装无零散数量时不拆零 ?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)"
型号:BT137-800E、电压:800(V) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:特制高压品种8A双向可控硅 ?工业型号:BT137-800E(可订制1000V规格) ?封装形式:TO-220AB(220半塑封) ?电流/IT(RMS):≥ 8 A ?电压/VDRM:≥800V ?触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):2.5~10 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):4.0~10 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):5.0~10 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):11~25 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:0.7~1.5V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS) ?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K ?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)