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2A双向可控硅BT134-600D(SOT-8

价 格: 面议

型号:BT134-600D(2A,600V)电流:2(A) 电压:600(V)
触发电流:<5 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:SOT-82(TO-126T)
控制方式:双向

?产品类别:2A 双向可控硅
?工业型号:BT134-600D
?封装形式:SOT-82TO-126两种封装)
?电流/IT(RMS):≤ 2 A 
?电压/VDRM:≥600V
?触发电流/IGT
 IGT(T2+G+):≤5 mA(象限)
 IGT(T2+G-):≤5 mA(第二象限)
 IGT(T2-G-):≤5 mA(第三象限)
 IGT(T2-G+):≤7 mA(第四象限)
?触发电压/VGT0.71.5V
?门极散耗功率:0.1W
?工作温度/Tj-40~+110°C (储存温度 -40~+150)
?器件品牌:KKG HAOHAI ELECTRONICS
?包装规格:袋装, 每包1Kpcs 每盒10Kpcs
 管装,每管50PCS,每盒1K,每箱10K
?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴菊华
  • 电话:755-27832499
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双向可控硅BT131-600

信息内容:

型号:BT131-600电压:600(V) 封装形式:TO-92控制方式:双向 ?产品类别:小电流 双向可控硅 ?工业型号:BT131-600 ?封装形式:TO-92 ?电流/IT(RMS):≥ 1 A ?电压/VDRM:≥600V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):0.4~3.0 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):1.3~3.0 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):1.4~3.0 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):3.8~7.0 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:0.7~1.5V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS) ?包装规格:袋装, 每包1Kpcs, 每盒10Kpcs  一盒/10K起出货,原包装无零散数量时不拆零 ?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)"

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双向可控硅BT137-800E

信息内容:

型号:BT137-800E、电压:800(V) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:特制高压品种8A双向可控硅 ?工业型号:BT137-800E(可订制1000V规格) ?封装形式:TO-220AB(220半塑封) ?电流/IT(RMS):≥ 8 A ?电压/VDRM:≥800V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):2.5~10 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):4.0~10 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):5.0~10 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):11~25 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:0.7~1.5V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS) ?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K ?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

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