双向可控硅BT131-600
| 价 格： | 面议 |
| 型号：BT131-600 | 电压：600（V） | 封装形式：TO-92 |
| 控制方式：双向 |
| ?产品类别：小电流 双向可控硅 |
| ?工业型号：BT131-600 |
| ?封装形式：TO-92 |
| ?电流/IT(RMS)：≥ 1 A |
| ?电压/VDRM：≥600V |
| ?触发电流/IGT： |
| IGTⅠ(T2+G+)：0.4~3.0 mA（象限） |
| IGTⅡ(T2+G-)：1.3~3.0 mA（第二象限） |
| IGTⅢ(T2-G-)：1.4~3.0 mA（第三象限） |
| IGTⅣ(T2-G+)：3.8~7.0 mA（第四象限） |
| ?触发电压/VGT：0.7～1.5V |
| ?门极散耗功率：0.1W |
| ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
| ?器件品牌：KKG （HAOHAI ELECTRONICS） |
| ?包装规格：袋装， 每包1Kpcs， 每盒10Kpcs |
| 一盒/10K起出货，原包装无零散数量时不拆零 |
| ?库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应） |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
- 电话：755-27832499
- 传真：755-27832499
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双向可控硅BT137-800E
信息内容：型号：BT137-800E、电压：800（V） 封装形式：TO-220AB控制方式：双向 ?产品类别：特制高压品种8A双向可控硅 ?工业型号：BT137-800E（可订制1000V规格） ?封装形式：TO-220AB（220半塑封） ?电流/IT(RMS)：≥ 8 A ?电压/VDRM：≥800V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：2.5～10 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：4.0～10 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：5.0～10 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：11～25 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：0.7～1.5V ?门极散耗功率：0.1W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：KKG （HAOHAI ELECTRONICS） ?包装规格：管装，每管50，每盒1K，每箱6K ?库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应）
25A双向可控硅BTA25-600B
信息内容：型号：BTA25-600B电压：600（V） 封装形式：RD-91控制方式：双向 ?产品类别：25A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ?工业型号：BTA25-600B ?封装形式：RD-91（金封） ?电流/IT(RMS)：≥ 25 A ?电压/VDRM：≥ 600V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤50 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤50 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤50 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)： ?触发电压/VGT：＜1.3 V ?门极散耗功率：1 W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：ST ?产品说明：提供性能、参数相同之代替品 ?包装规格：袋装，盒装，每盒25 Pcs ?库存状况：少量现货，接受订货。
