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16A双向可控硅BTB16-800TW

价 格: 面议

品牌:HAOHAI浩海型号:BTB16-800TW控制方式:双向
极数:-封装材料:-封装外形:-
关断速度:-额定正向平均电流:-(A) 控制极触发电流:-(mA)
稳定工作电流:-(A) 反向重复峰值电压:-(V)

?产品类别:16A三象限非绝缘型双向可控硅
?工业型号:BTB16-800TW
?封装形式:TO-220AB
?电流/IT(RMS):≥16 A 
?电压/VDRM:≥800V
?触发电流/IGT
IGT(T2+G+)5 mA(象限)
IGT(T2+G-)5 mA(第二象限)
IGT(T2-G-)5 mA(第三象限)
IGT(T2-G+)
?触发电压/VGT1.3 V
?门极散耗功率:1 W
?工作温度/Tj-40~+110°C(储存温度-40~+150)
?器件品牌:STKKG(同时供应)
?包装规格:袋装,盒装,每盒250 Pcs
?库存状况:少量现货,接受订货。

 

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深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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  • 电话:755-27832499
  • 传真:755-27832499
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40A双向可控硅BTA40-800B

信息内容:

型号:BTA40-800B电流:40(A) 电压:800(V) 触发电流:50 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:RD-91 金封控制方式:双向 ?产品类别:40A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTA40-800B ?封装形式:RD-91(金封) ?电流/IT(RMS):≥ 40 A ?电压/VDRM:≥ 800V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:<1.3 V ?门极散耗功率:1 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST ?产品说明:提供性能、参数相同之代替品 ?包装规格:袋装,盒装,每盒25 Pcs ?库存状况:少量现货,接受订货。

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10A双向可控硅BTA10-800C

信息内容:

型号:BTA10-800C电流:10(A) 电压:800(V) 触发电流:25 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:10A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTA10-800C ?封装形式:TO-220AB ?电流/IT(RMS):≥10 A ?电压/VDRM:≥800V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):≤25 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):≤25 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):≤25 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):≤50 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:<1.3 V ?门极散耗功率:1 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG (同时供应) ?包装规格:管装, 每管50pcs, 每盒1Kpcs  一盒/1K起出货,原包装无零散数量时不拆零 ?库存状况:现货供应

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