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10A双向可控硅BTA10-800C

价 格: 面议

型号:BTA10-800C电流:10(A) 电压:800(V)
触发电流:25 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB
控制方式:双向

?产品类别:10A 四象限 绝缘型 双向可控硅
?工业型号:BTA10-800C
?封装形式:TO-220AB
?电流/IT(RMS):≥10 A 
?电压/VDRM:≥800V
?触发电流/IGT
 IGT(T2+G+)25 mA(象限)
 IGT(T2+G-)25 mA(第二象限)
 IGT(T2-G-)25 mA(第三象限)
 IGT(T2-G+)50 mA(第四象限)
?触发电压/VGT1.3 V
?门极散耗功率:1 W
?工作温度/Tj-40~+110°C (储存温度 -40~+150)
?器件品牌:STKKG (同时供应)
?包装规格:管装, 每管50pcs 每盒1Kpcs
 一盒/1K出货,原包装无零散数量时不拆零
?库存状况:现货供应

深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴菊华
  • 电话:755-27832499
  • 传真:755-27832499
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12A双向可控硅BTA12-600CW

信息内容:

型号:BTA12-600CW电流:12(A) 电压:600(V) 触发电流:35(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:12A 三象限 绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTA12-600CW ?封装形式:TO-220AB ?电流/IT(RMS):≥12 A ?电压/VDRM:≥600V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):≤35 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):≤35 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):≤35 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+): ?触发电压/VGT:<1.3 V ?门极散耗功率:1 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG (同时供应) ?包装规格:袋装,盒装,每盒250 Pcs ?库存状况:少量现货,接受订货。

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12A双向可控硅BTA12-800CW

信息内容:

型号:BTA12-800CW电流:12(A) 电压:800(V) 触发电流:35 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:12A 三象限 绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTA12-800CW ?封装形式:TO-220AB ?电流/IT(RMS):≥12 A ?电压/VDRM:≥800V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):≤35 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):≤35 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):≤35 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+): ?触发电压/VGT:<1.3 V ?门极散耗功率:1 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG (同时供应) ?包装规格:袋装,盒装,每盒250 Pcs ?库存状况:少量现货,接受订货。

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