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三极管 3DD1618

价 格: 20.00

是否提供加工定制:否品牌:国产型号:3DD1618
应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型
结构:平面型封装形式:TO-3PII封装材料:塑料封装

   3DD1618基本参数:

250W

20A160V

   我公司是生产大功率三极管(3DD系列、2SA2SCMJ)、场效应管、超声波用晶体管(BU系列)、开关三极管等元器件的。

 

富阳创博科技有限公司
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是否提供加工定制:否品牌:国产型号:3DF50C应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型集电极耗散功率PCM:500(W) 结构:平面型封装形式:直插型封装材料:塑料封装 型号:3DF50C NPN低频特大功率三极管 封装形式:TO-3PIII 电特性:极限值(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符 号额定值单 位集电极—发射极电压VCE0200V集电极—基极电压VCBO250V发射极—基极电压VEBO7.0V集电极电流IC50A耗散功率Pc500W结 温Tj150℃贮存温度Tstg-50 ~ +155℃ 电参数(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符号测试条件规范值单位最小典型集电极-基极截止电流ICB0VCB=250V IE=0——5.0uA发射极-基极截止电流IEB0VEB=7V IC=0——5.0uA直流电流增益hFEVce=5V IC=3A80—200 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)IC=10A IB=1A——1.8V集电极—基极饱和电压VCB(sat)IC=10A IB=1A——1.4V集电极-发射极击穿电压V(BR)CEOIC=1mA IB=0200——V集电极-基极击穿电压 V(BR)CBOIC=1mA IE=0250——V发射极-基极击穿电压V(BR)EBOIE=1mA IC=07.0—...

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