超声波用大功率三极管 500W 50A 三极管 df 50a 放大三极管
| 价 格： | 45.00 |
| 是否提供加工定制：是 | 品牌：国产 | 型号：3DF50G |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | 极性：NPN型 |
| 集电极允许电流ICM：50（A） | 集电极耗散功率PCM：500（W） | 结构：平面型 |
| 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
3DF50G
电特性：
极限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | VCE0 | 600 | V |
集电极—基极电压 | VCBO | 650 | V |
发射极—基极电压 | VEBO | ≥ 7 | V |
集电极电流 | IC | 50 | A |
耗散功率 | Pc | 500 | W |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符号 | 规范值 | 单位 | ||
最小 | 典型 | ||||
集电极-基极截止电流 | ICB0 | — | — | 10.0 | mA |
发射极-基极截止电流 | IEB0 | — | — | 10.0 | mA |
直流电流增益 | hFE | 30 | — | 120 |
|
集电极-发射极饱和电压 | VCEsata | — | — | 3 | V |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 600 | — | — | V |
集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 650 | — | — | V |
发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | 7.0 | — | — | V |
开启时间 | Ton | — | — | 1.8 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 5.0 | us |
下降时间 | tf | — | — | 1 | us |
a:脉冲测试 | |||||
500W大功率三极管的外型尺寸：54mm*24.5mm*9mm
注:此信息上的一口价为商业品价格,如需工业品或以上级别的产品,请联系在线销售人员,谢谢!
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大功率三极管_大功率三极管批发_大功率三极管供应-500W
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：国产型号：3DF50C应用范围：放大材料：硅(Si)极性：NPN型集电极耗散功率PCM：500（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：塑料封装 型号：3DF50C NPN低频特大功率三极管 封装形式：TO-3PIII 电特性：极限值（除非另有规定Tamb=25℃）参数名称符 号额定值单 位集电极—发射极电压VCE0200V集电极—基极电压VCBO250V发射极—基极电压VEBO7.0V集电极电流IC50A耗散功率Pc500W结 温Tj150℃贮存温度Tstg-50 ~ +155℃ 电参数（除非另有规定Tamb=25℃）参数名称符号测试条件规范值单位最小典型集电极-基极截止电流ICB0VCB=250V IE=0——5.0uA发射极-基极截止电流IEB0VEB=7V IC=0——5.0uA直流电流增益hFEVce=5V IC=3A80—200 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)IC=10A IB=1A——1.8V集电极—基极饱和电压VCB(sat)IC=10A IB=1A——1.4V集电极-发射极击穿电压V(BR)CEOIC=1mA IB=0200——V集电极-基极击穿电压 V(BR)CBOIC=1mA IE=0250——V发射极-基极击穿电压V(BR)EBOIE=1mA IC=07.0—...
中高频放大三极管
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：Samsung/三星型号：2SC2922应用范围：放大材料：硅(Si)极性：NPN型集电极允许电流ICM：17（A） 集电极耗散功率PCM：200（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：塑料封装三极管2SC2922的参数：电流：17A电压：180V功率：200W公司其他产品型号有：大功率三极管：3DD5686 3DF50C 2SC5200 2SA1943 2SC1142 2SC1435 3DF100 2SC3990 ……场效应管：IRF630 IRF740 IRF840 IRF3205 IRFZ44 IRFZ48 6N60 4N60 7N60 60N06 50N06……功放对管： 2SA1494/2SC3858 2SA1941/2SC5198 2SA1943/2SC5200 2SB778/2SD998…开关三极管：13007 13005 13009 2SC3320……超声波用晶体管：BUX48A BU508A BUS14A BUS13A BUV48A BUX98A……
