是否提供加工定制:是 | 品牌:- | 型号:2SD882S |
应用范围:放大 | 材料:- | 击穿电压VCBO:-(V) |
集电极允许电流ICM:-(A) | 集电极耗散功率PCM:-(W) | 截止频率fT:-(MHz) |
封装形式:- | 封装材料:- |
■华昕电子:中小功率三极管TO-92封装 |
■产品类别:小信号功率晶体管、电晶体 |
■工业型号:2SD882S |
■华昕型号:HSD882S |
■主要参数: |
极性:NPN;管脚排列:ECB -C中 |
BVcbo:40 V; BVceo:30 V |
IC:3000 mA; PD:750 mW |
ICBO@ VCB:1 µA @ 30 V |
hFE:100~500(放大倍数分段可选) |
(Ic: 1000 mA,VCE: 2 V) |
VCE(sat) @ IC, IB: |
Max. 0.5 V;IC: 2000 mA;IB: 200 mA |
fT Min.Typ.(#): # 90 MHz (频率) |
Cob Max.Typ.(#): # 45 pF |
■包装规格:TO-92直插元件,袋装-盒装 |
■包装数量:每包1K,每盒10K,每箱100K |
■产品可以香港交货 |
■深圳浩海华昕事业部提供 |
型号:BTB16-600CW电流:16(A) 电压:600(V) 触发电流:35 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:16A 三象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTB16-600CW ?封装形式:TO-220AB ?电流/IT(RMS):≥16 A ?电压/VDRM:≥600V ?触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):≤35 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):≤35 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤35 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+): ?触发电压/VGT:<1.3 V ?门极散耗功率:1 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG (同时供应) ?包装规格:袋装,盒装,每盒250 Pcs ?库存状况:少量现货,接受订货。
品牌:HAOHAI浩海型号:BTB16-800TW控制方式:双向极数:-封装材料:-封装外形:-关断速度:-额定正向平均电流:-(A) 控制极触发电流:-(mA) 稳定工作电流:-(A) 反向重复峰值电压:-(V) ?产品类别:16A三象限非绝缘型双向可控硅?工业型号:BTB16-800TW?封装形式:TO-220AB?电流/IT(RMS):≥16 A ?电压/VDRM:≥800V?触发电流/IGT:IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(象限)IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限)IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限)IGTⅣ(T2-G+):?触发电压/VGT:<1.3 V?门极散耗功率:1 W?工作温度/Tj:-40~+110°C(储存温度-40~+150℃)?器件品牌:ST、KKG(同时供应)?包装规格:袋装,盒装,每盒250 Pcs?库存状况:少量现货,接受订货。 "