是否提供加工定制:否 | 品牌:华晶 | 型号:CS13003U6D |
应用范围:开关 | 材料:硅(Si) | 极性:NPN型 |
击穿电压VCBO:350(V) | 集电极允许电流ICM:1.8(A) | 集电极耗散功率PCM:35(W) |
截止频率fT:1.25(MHz) | 结构:平面型 | 封装形式:直插型 |
封装材料:树脂封装 |
1 产品概述:
3DD13003U6D是硅NPN型功率开关晶体管,适用于低压节能灯,推荐功率14-16W,该产品采用平面工艺,
分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高
了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
特征参数
VCEO=200V
IC=1.8A
Ptot (TC=25℃)=35W
产品封装形式:TO-126,符合RoHS指令要求。
2 产品特点:
● 开关损耗低
● 电流特性好
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
3 主要用途:
主要用于低压电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
应用范围:开关品牌:华晶型号:3DD13003E1D封装形式:直插型材料:硅(Si)集电极允许电流ICM:0.5截止频率fT:0.8击穿电压VCBO:700注①:此处是「华晶」品牌直销,请认准网页的企业实名认证或查看公司诚信档案。 注②:此处所示单价均为网站建设需要,且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注③如需产品资料,样品及报价,可以来电13771500160或QQ43212213咨询。 1 产品概述:3DD13003E1D是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率13-15W该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式:TO-92,符合RoHS指令要求。2 产品特点:● 开关损耗低● 反向漏电流小● 高温特性好● 合适的开关速度● 可靠性高3 主要用途:主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。"
是否提供加工定制:否品牌:华晶型号:3DD13003M6D应用范围:功率材料:硅(Si)极性:NPN型击穿电压VCBO:700(V) 集电极允许电流ICM:1.8(A) 集电极耗散功率PCM:50(W) 截止频率fT:5(MHz) 结构:平面型封装形式:直插型封装材料:树脂封装1 产品概述:3DD13003M6D是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率23-25W,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式:TO-126,符合RoHS指令要求。2 产品特点:● 开关损耗低● 反向漏电流小● 高温特性好● 合适的开关速度● 可靠性高3 主要用途:主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。