应用范围:开关 | 品牌:华晶 | 型号:3DD13003E1D |
封装形式:直插型 | 材料:硅(Si) | 集电极允许电流ICM:0.5 |
截止频率fT:0.8 | 击穿电压VCBO:700 |
注①:此处是「华晶」品牌直销,请认准网页的企业实名认证或查看公司诚信档案。
注②:此处所示单价均为网站建设需要,且单价随行就市,故不作为成交的依据。
注③如需产品资料,样品及报价,可以来电13771500160或QQ43212213咨询。
1 产品概述:
3DD13003E1D是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率13-15W该产品采用平面工艺,
分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高
了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
产品封装形式:TO-92,符合RoHS指令要求。
2 产品特点:
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
3 主要用途:
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率
开关电路,是该类电子产品的核心部件。
是否提供加工定制:否品牌:华晶型号:3DD13003M6D应用范围:功率材料:硅(Si)极性:NPN型击穿电压VCBO:700(V) 集电极允许电流ICM:1.8(A) 集电极耗散功率PCM:50(W) 截止频率fT:5(MHz) 结构:平面型封装形式:直插型封装材料:树脂封装1 产品概述:3DD13003M6D是硅NPN型功率开关晶体管,推荐功率23-25W,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式:TO-126,符合RoHS指令要求。2 产品特点:● 开关损耗低● 反向漏电流小● 高温特性好● 合适的开关速度● 可靠性高3 主要用途:主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。
是否提供加工定制:否品牌:华晶型号:3DD13003H3D应用范围:功率材料:硅(Si)极性:NPN型击穿电压VCBO:600(V) 集电极允许电流ICM:1.8(A) 集电极耗散功率PCM:35(W) 截止频率fT:5(MHz) 结构:平面型封装形式:直插型封装材料:树脂封装1 产品概述:3DD13003H3D是硅NPN型功率开关晶体管,使用推荐功率18-20W。该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,集成了有源抗饱和网络,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。产品封装形式:TO-251,符合RoHS指令要求。2 产品特点:● 开关损耗低● 反向漏电流小● 高温特性好● 合适的开关速度● 可靠性高3 主要用途:主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。