型号:HMM1225 贴片封装 | 电流:0.8(A) | 电压:≥300(V) |
触发电流:≤200 uA(A) | 结温:110(℃) | 封装形式:SOT-89 贴片封装 |
控制方式:单向 |
?产品类别:0.8A 贴片单向可控硅-SCRs SMD |
?工业型号:HMM1225 |
?封装外形:SOT-89 贴片封装 |
?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode) |
?电流/IT(RMS):≥0.8 A (ITSM: ≤8 A ;IT(AV): ≤0.5 A) |
?电压/VDRM:≥300V |
?触发电流/IGT:<200 ?A |
?触发电压/VGT: <0.8V (VD=7V) |
?门极散耗功率:0.1W (Average gate power dissipation) |
?工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: ≤250℃) |
?器件品牌:KKG(Haohai Electronics) |
?包装规格:卷袋卷盘包装,每卷1K,每盒4K |
整卷起出货,原包装产品无零散数量时不拆零 |
?供货状况:现货供应,接受订货。可长期稳定供应 |
型号:BT151X-500R电流:12(A) 电压:≥500(V) 触发电流:2-15 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220FP、SOT-186 全塑封控制方式:单向 ?产品类别:单向可控硅-SCRs,Thyristors ?产品性能:12A 全塑封 ?工业型号:BT151X-500R (飞利浦型号) ?封装外形:TO-220FP (220全塑封,SOT186A) ?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ?电流/IT(RMS):≤12 A (ITSM: ≤100 A ;IT(AV): ≤7.5 A) ?电压/VDRM:≥500V ?触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;IT=0.1A) 2~15 mA(中间值~值)(毫安) ?触发电压/VGT: 0.6~1.5 V ?门极散耗功率:0.5 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌:KKG(Haohai Electronics) ?库存状况:大量现货。可长期稳定供应
型号:TYN840电流:40(A) 电压:800(V) 触发电流:35 mA(A) 结温:125(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:单向 ?产品类别:40A 单向可控硅-SCRs ?工业型号:TYN840 (意法ST型号) ?封装外形:TO-220AB ( 220半塑封 ) ?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ?电流/IT(RMS):≥40 A ( ITSM: ≤480 A ) ?电压/VDRM:≥800V ?触发电流/IGT:3.5~35 mA (毫安) ?触发电压/VGT: ≤1.3 V ?门极散耗功率:1 W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG(多种品牌同时供应) 也可提供性能/参数相同之代替品 ?包装规格:袋装,每盒1包,每盒250 Pcs ?供应状况:接受订货