40A单向可控硅TYN840(图)
| 价 格： | 面议 |
| 型号：TYN840 | 电流：40（A） | 电压：800（V） |
| 触发电流：35 mA（A） | 结温：125（℃） | 封装形式：TO-220AB |
| 控制方式：单向 |
| ?产品类别：40A 单向可控硅-SCRs |
| ?工业型号：TYN840 （意法ST型号） |
| ?封装外形：TO-220AB （ 220半塑封 ） |
| ?管脚排列：K-A-G (K-Cathode；A-Anode；G-Gate) |
| ?电流/IT(RMS)：≥40 A （ ITSM: ≤480 A ） |
| ?电压/VDRM：≥800V |
| ?触发电流/IGT：3.5～35 mA （毫安） |
| ?触发电压/VGT： ≤1.3 V |
| ?门极散耗功率：1 W (Average gate power dissipation) |
| ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) |
| ?器件品牌：ST、KKG（多种品牌同时供应） |
| 也可提供性能/参数相同之代替品 |
| ?包装规格：袋装，每盒1包，每盒250 Pcs |
| ?供应状况：接受订货 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
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12A单向可控硅MCR12M(800V电压)
信息内容：型号：MCR12N电流：12（A） 电压：≥800（V） 触发电流：5-200 uA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-220AB(半塑封)控制方式：单向 ?产品类别：12A 单向可控硅-SCRs ?工业型号：BT151-□□□□ ?工业型号：MCR12N ?封装外形：TO-220AB ?管脚排列：K-G-A （K-Cathode；G-Gate；A-Anode） ?电流/IT(RMS)：≥12 A ( ITSM: ≤100 A ) ?电压/VDRM：≥800V ?触发电流/IGT：Gate trigger current（VD=12V；RL=100Ω） 5～12～200 ?A (最小值～中间值～值) (微安) ?触发电压/VGT： 0.45V～0.65V～1.00V ?门极散耗功率：0.5W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG、VAST ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒2K ?供应状况：少量现货，接受订货 可长期供应
4A单向可控硅MCR106-6
信息内容：型号：MCR106-6 (4A/400V)电流：4（A） 电压：≥400（V） 触发电流：15-200 uA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-126 半塑封控制方式：单向 ?产品类别：4A 单向可控硅-SCRs ?工业型号：MCR106-6 （飞利浦型号） ?封装外形：TO-126 （126半塑封，SOT32） ?管脚排列：K-A-G （K-Cathode；A-Anode；G-Gate） ?电流/IT(RMS)：≤4 A (ITSM: ≤35 A ；IT(AV): ≤2.5 A) ?电压/VDRM：≥400V ?触发电流/IGT：Gate trigger current（VD=12V；IT=0.1A） 15～200 ?A (中间值～值) (微安) ?触发电压/VGT： 0.4～1.5 V（Gate trigger voltage） ?门极散耗功率：0.5W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG ?制 造 商：Haohai Electronics ?包装规格：袋装，每包250PCS，每盒5KPCS ?供应状况：少量库存，接受订货/可长期供应
