品牌: Hitachi/日立 型号: K623
种类: 结型(JFET)
沟道类型: N沟道
导电方式: 耗尽型
用途: S/开关
封装外形: CER-DIP/陶瓷直插
材料: N-FET硅N沟道
龙成电子有限公司位于中国广东省汕头市潮南区陈店镇溪北工业区,龙成电子有限公司是一家经销批发的私营独资企业.主要生产电子元器件、二三极管、场效应管安规电容、CBB电容、小功率管、整流二极管、涤纶、桥堆、铝电解电容、肖特基、集成IC产品等。品牌有;黑金刚,红宝石,松下,尼吉康,日立,丰宾,立隆,ST,IR,仙童,SEC,东芝,富士通,英飞凌,摩托罗拉等,货源稳定,价格优势,还为了让客户采购方便,特提供配套业务,一直为电视机.DVD.功放.音响,玩具,开关电源.电动车充电器.电磁炉,节能灯,捕猎器,逆变器生产厂家供货,龙成电子有限公司的产品在消费者当中享有较高的地位,公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。价格合理。龙成电子有限公司实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。
集电极耗散功率PCM: w 集电极允许电流ICM: 1 封装形式: 直插型 截止频率fT: mhz 型号: A940 材料: 硅(Si) 品牌: TOSHIBA/东芝 应用范围: 放大 三极管的主要参数 工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. 特征频率fT :当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. hFE 电流放大倍数. VCEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. PCM 允许耗散功率. 封装形式 指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: 10N90 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: S/开关 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 场效应管的基本特性 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件,有与电子管相似的传输特性,因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用,其特点有以下一些。 1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 2.场效应管的噪声是非常低的,噪声系数可以做到1dB以下,现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右,这是一般晶体管和电子管难以达到的。 3、高输入阻抗容易驱动,输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容),输出端负载的变化对输入端影响小,驱动负载能力强,电源利用率高。 4.场效应管的输出为输入的2次幂函数,失真度低于晶体管,比胆管略大一些。场效应管的失真多为偶次谐波失真,听感好,高中低频能量分配适当,声音有密度感,低频潜得较深,音场较稳,透明感适中,层次感、解析力和定位感均有较好表现,具有良好的声场空间描绘能力,对音乐细节有很好表现。