集电极耗散功率PCM: w
集电极允许电流ICM: 1
封装形式: 直插型
截止频率fT: mhz
型号: A940
材料: 硅(Si)
品牌: TOSHIBA/东芝
应用范围: 放大
工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
特征频率fT
:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
hFE
电流放大倍数.
VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
PCM
允许耗散功率.
封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: 10N90 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: S/开关 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 场效应管的基本特性 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件,有与电子管相似的传输特性,因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用,其特点有以下一些。 1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 2.场效应管的噪声是非常低的,噪声系数可以做到1dB以下,现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右,这是一般晶体管和电子管难以达到的。 3、高输入阻抗容易驱动,输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容),输出端负载的变化对输入端影响小,驱动负载能力强,电源利用率高。 4.场效应管的输出为输入的2次幂函数,失真度低于晶体管,比胆管略大一些。场效应管的失真多为偶次谐波失真,听感好,高中低频能量分配适当,声音有密度感,低频潜得较深,音场较稳,透明感适中,层次感、解析力和定位感均有较好表现,具有良好的声场空间描绘能力,对音乐细节有很好表现。
品牌: TOSHIBA/东芝 型号: K2837 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: L/功率放大 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。