| 品牌:IR/国际整流器 | 型号:FR3607 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MW/微波 |
| 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:30(V) |
| 夹断电压:303(V) | 跨导:45(μS) | 极间电容:45(pF) |
| 低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装现货供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607供应场效应管FR3607
品牌:IR/国际整流器型号:FR4104种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:4(pF) 低频噪声系数:54(dB) 漏极电流:5(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104供应场效应管FR4104"
品牌:IR/国际整流器型号:FR3806种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:30(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806