| 品牌:IR/国际整流器 | 型号:FR3806 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 开启电压:30(V) |
| 夹断电压:30(V) | 跨导:30(μS) | 极间电容:45(pF) |
| 低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装现货供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806供应场效应管FR3806
品牌:IR/国际整流器型号:IRFR014种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:NF/音频(低频)封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:HEMT高电子迁移率开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:4(mA) 耗散功率:5(mW) 供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014供应场效应管IRFR014"
品牌:IR/国际整流器型号:IRF9640S种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:HF/高频(射频)放大封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:4(dB) 漏极电流:545(mA) 耗散功率:45(mW) 供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S供应场效应管IRF9640S"