MOS管IRLL014TRPBF/VIHLL014
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRLL014TRPBF | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-P-FET锗P沟道 |
原装现货FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• Surface Mount
• Available in Tape and Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• Logic-Level Gate Drive
•RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
•Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The SOT-223 package is designed for surface-mounting
using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
Its unique package design allows for easy automatic
pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but
has the added advantage of improved thermal performace
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of
greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount
application.
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邹荣财
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仙童视频驱动器FMS6141S5X
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FMS6141S5X种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：VID/视频封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：SIT静电感应开启电压：6（V） 夹断电压：10（V） 跨导：10（μS） 极间电容：10（pF） 低频噪声系数：75（dB） 漏极电流：50（mA） 耗散功率：10（mW） 应用有线机顶盒卫星机顶盒DVD播放机高清晰度电录像机（PVR）聝视频点播（VOD）特点单第四阶8MHz（SD）滤波器驱动器，单，AC或DC耦合视频负载（2Vpp，150惟）驱动双，AC或DC耦合视频负载（2Vpp，75惟）透明的输入钳位AC或DC耦合输入AC或DC耦合输出直流耦合输出无需交流耦合电容器单电源“稳健”10kV ESD保护无铅封装：SOIC-8或SC70-5FQPF8N80C FAIRCHILDTO-220F11PBFQPF7N80CFAIRCHILDTO-220F11PBFQPF3N80C FAIRCHILDTO-220F11PBFQPF5N60C FAIRCHILDTO-220F11PBFQPF8N60C FAIRCHILDTO-220F11PBFQPF10N60C FAIRCHILDTO-220F11PBFQPF9N90C FAIRCHILDTO-220F11PBFSDM07652REWDTUFAIRCHILDTO-220F11PBFSCQ0765RTYDTUFAIRCHILDTO-220F-511PBKA5Q0765RTHYDTUFAIRCHILDTO-220F-511PBFSDM0465REWDTUFAIRCHILDTO-220F-611PBFSDM0565REWDTUFAIRCHILDTO-220F-611P...
MOS管FDM2509NZ
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDM2509NZ种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：TR/激励、驱动封装外形：CHIP/小型片状材料：N-FET硅N沟道开启电压：20（V） 夹断电压：12（V） 跨导：240（μS） 极间电容：12000（pF） 低频噪声系数：100（dB） 漏极电流：18（mA） 耗散功率：22（mW） 应用于锂电池General DescriptionThis dual N-Channel MOSFET has been designedusing Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v onspecial MicroFET lead frame with all the drains on oneside of the package.Applications• Li-Ion Battery Pack
