品牌/商标 | FSC | 型号/规格 | IRF830B |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | MES金属半导体 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
这些N-Channel增强式电源磁场效应
采用了仙童专有的,平面,DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制
减少导通状态阻力,提供优越的开关表现,并承受高能脉冲雪崩而变换模式。
这些设备是适合高效率的开关电源,功率因数校正和电子灯镇流器的基础
剩余库存,低价抛售,质量保证,欢迎来电垂询
品牌/商标ST意法半导体型号/规格STGF19NC60KD种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途A/宽频带放大封装外形P-DIT/塑料双列直插材料N-FET硅N沟道开启电压1(V) 夹断电压1(V) 跨导1(μS) 极间电容1(pF) 低频噪声系数1(dB) 漏极电流16(mA) 耗散功率32(mW) 应用:高频逆变器电机驱动描述:它利用先进的PowerMESH过程使切换性能、低导通的进行交换 品质保证,价格优势,欢迎来电垂询 电话:13802395970 QQ:438809418,425036619
品牌/商标INFINEON/英飞凌型号/规格IKA15N60T种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型封装外形SMD(SO)/表面封装材料IGBT绝缘栅比极开启电压600(V) 夹断电压1200(V) 跨导25(μS) 极间电容35(pF) 耗散功率1000(mW) 原装infineon现货,IKA15N60T有非常低的VCE1.5伏结温175 ℃,短路承受时间- 5PS 600 V应用提供参数分布非常紧凑、高耐用性,温度稳定,非常高的开关速度Fx<50KHz,低电磁干扰Pb-free铅镀层;RoHS兼容