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强势代理ST/IGBT STGF19NC60KD 原装

价 格: 3.40
品牌:ST意法半导体
型号:STGF19NC60KD

品牌/商标ST意法半导体型号/规格STGF19NC60KD
种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道
导电方式增强型用途A/宽频带放大
封装外形P-DIT/塑料双列直插材料N-FET硅N沟道
开启电压1(V) 夹断电压1(V)
跨导1(μS) 极间电容1(pF)
低频噪声系数1(dB) 漏极电流16(mA)
耗散功率32(mW)

应用:
高频逆变器

电机驱动

描述:

它利用先进的PowerMESH

过程使切换性能、低导通

的进行交换

 

品质保证,价格优势,欢迎来电垂询 电话:13802395970  QQ:438809418,425036619

 

东莞市朗科电子科技有限公司
公司信息未核实
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  • 手机:13802395970
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现货供应IKA15N60T INFINEON TO-220F

信息内容:

品牌/商标INFINEON/英飞凌型号/规格IKA15N60T种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型封装外形SMD(SO)/表面封装材料IGBT绝缘栅比极开启电压600(V) 夹断电压1200(V) 跨导25(μS) 极间电容35(pF) 耗散功率1000(mW) 原装infineon现货,IKA15N60T有非常低的VCE1.5伏结温175 ℃,短路承受时间- 5PS 600 V应用提供参数分布非常紧凑、高耐用性,温度稳定,非常高的开关速度Fx<50KHz,低电磁干扰Pb-free铅镀层;RoHS兼容

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现货低价出售 肖特基二极管 TSC/MBR20100CT

信息内容:

产品类型肖特基管品牌/商标TSC台湾半导体型号/规格MBR20100CT结构点接触型材料硅(Si)封装形式直插型封装材料塑料封装功率特性中功率频率特性中频发光颜色标准绿出光面特征面发光管发光强度角分布高指向性反向电压VR60-100(V) 正向直流电流IF20(A) 描述:抗冲击性强,耐高温能达到170度的情况下还能正常的工作。反向浪涌能过4A整流器、普通阴极结构。多层金属-Silicon潜在的结构低功耗、高效率有过压保护环,可靠性高应用:低压高频电路。低压持续电路和保护电路中肖特基二极管,MBR20100在生产使用的主要工序的技术包括::矽单晶基体、P +回路技术,潜在的金属和硅合金技术,该装置采用两个芯片、普通阴极、塑料半包结构 市场低价,品质保证,有意者欢迎来电垂询 张先生:13802395970 QQ:438809418"

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