品牌:IR/国际整流器 | 型号:FR3706 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:30(μS) | 极间电容:45(pF) |
低频噪声系数:44(dB) | 漏极电流:545(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装现货供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706供应场效应管FR3706
品牌:IR/国际整流器型号:IRFR1018E种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-P-FET锗P沟道开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E供应场效应管IRFR1018E"
品牌:IR/国际整流器型号:IRLR8715C种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C