一系列双路增强型P沟道MOSFET场效应IC
| 价 格： | 面议 |
30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 90mΩ
| FET - 阵列 |
| PowerTrench® |
| 2 个 P 沟道（双） |
| 逻辑电平门 |
| 55 毫欧 @ 5A, 10V |
| 30V |
| 5A |
| 3V @ 250µA |
| 9nC @ 5V |
| 528pF @ 15V |
| 900mW |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘镇双
- 电话：0755-61303735
- 传真：0755-61303735
- 手机：
- QQ ：
一系列贴片绕线高频电感器
信息内容：生产线圈，电感，滤波器、高频变压器、CNC绕线机的经验。主要产品有：空芯线圈、工字电感、磁环电感、功率电感、（电感、滤波器、高频变压器、绕线机、四轴机、包胶机、电脑切管机、工业烤箱、真空含浸机、自动锡炉）高频变压器、滤波器、扼流线圈、共模线圈,广泛应用于灯饰、电源、通信、汽车、计算机、航天、广播机及国防应用等众多领域，为电子行业中的许多外资企业，民营企业，高等院校及科研单位提供军品级、工业功率电感 工字电感 磁环线圈 空心线圈 扼流圈本产品体积小 电感量 电流范围广 成本底,广范应用于 各类视听设备 电光源 通讯玩具等产品尺寸标明:例如6*8 A:高度8mm F:直径6mm级、民用级等优异精密产品，并建立了长期的合作关系。在华东地区、长三角、珠三角有良好广泛的客户群
电子元器件一系列IR场效应MOSFET晶体管
信息内容：制造商编号：IRF7404TRPBF 制造商：International 描述：MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC 基本参数： 系列：HEXFET? FET型：MOSFET P通道，金属氧化物 FET特点：逻辑电平门 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C：40毫欧@ 3.2A, 4.5V 漏极至源极电压(Vdss)：20V 电流-连续漏极(Id) @ 25°C：6.7A Id时的Vgs(th)（）：700mV @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 4.5V 在Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF @ 15V 功率-：2.5W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：8-SOIC（0.154", 3.90mm宽） 包装：剪切带(CT)
