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电子元器件一系列IR场效应MOSFET晶体管

价 格: 面议

 

制造商编号:IRF7404TRPBF

 

 

 

制造商:International

 

 

 

述:MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC

 

 

 

基本参数:

 

 

 

系列HEXFET? 

 

 

 

FETMOSFET P通道,金属氧化物 

 

 

 

FET特点逻辑电平门 

 

 

 

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°C40毫欧@ 3.2A, 4.5V 

 

 

 

漏极至源极电压(Vdss)20V 

 

 

 

电流-连续漏极(Id) @ 25°C6.7A 

 

 

 

Id时的Vgs(th)()700mV @ 250μA 

 

 

 

闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V 

 

 

 

Vds时的输入电容(Ciss)1500pF @ 15V 

 

 

 

功率-2.5W 

 

 

 

安装类型表面贴装 

 

 

 

封装/外壳8-SOIC0.154", 3.90mm宽) 

 

 

 

包装剪切带(CT)

 

深圳市福田区新亚洲电子市场双信飞电子经营部
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