一系列低压双P沟道增强型场效应MOSFET管集成电路IC
| 价 格： | 面议 |
AO4803A可代替4953A
双P场效应管：
AO4801 AO SOP-8 双P -30V -5A
AO4803 AO SOP-8 双P 30V -7A
AO4805L AO SOP-8 双P -30V -8A
AO4807 AO SOP-8 双P -30V -6A
AO4813 AO SOP-8 双P -30V -7.1A
AO4815 AO SOP-8 双P -30V -8A
FDS4935A FAIRCHILD SOP-8 双P -30V -7A
FDS4953 AP/富鼎 SOP-8 双P -30V -5A
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一系列P沟道MOSFET贴片场效应晶体管
信息内容：品牌：vishay 封装：SOT-23 SI2301特点: 晶体管类型：P沟道MOSFET功耗PD：1.25W栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）漏源电压VDS：－20V（极限值）漏极电流ID：－2.3A通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）栅极漏电流IGSS：±100nA结温:-55℃to+150℃封装：SOT-23(TO-236)替代型号：NCE2301 RTM2301 ACE2301 CMT2301 STS2301 SI2301主要应用于数码摄像机领域 "
一系列双路增强型P沟道MOSFET场效应IC
信息内容：30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 90mΩ 家庭FET - 阵列系列PowerTrench®FET 型2 个 P 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)528pF @ 15V功率 - 900mW安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
