一系列P沟道中功率场效应IR整流器MOSFET晶体管
| 价 格： | 面议 |
irf4905价格分析
基本参数：
晶体管极性:P
漏极电流, Id值:-74A
电压, Vds:55V
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
电压@ Rds测量:-10V
电压, Vgs:-4V
功耗:200W
封装类型:TO-262
针脚数:3
率, Pd:200W
封装类型:TO-262
封装类型,替代:TO-262AB
晶体管类型:MOSFET
电压Vgs @ Rds on测量:10V
电压, Vds:55V
电压, Vds典型值:55V
电流, Id连续:74A
电流, Idm脉冲:260A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th典型值:4V
阈值电压, Vgs th:2V
阈值电压, Vgs th:4V
深圳长期库存:
30CPQ100，40CPQ100，HFA08TB60，HFA16TA60C，IR2103，IR2103S，IR2110，IR2153，IR2153S，IRF1010E，IRF1404，IRF1405，IRF2807，IRF3205，IRF3710，IRF4905，IRF530，IRF5305，IRF530N，IRF540N，IRF630N，IRF640N，IRF730，IRF740，IRF830，IRF840，IRF9530N，IRF9540N，IRF9630，IRF9640，IRF9Z24N，IRF9Z34N，IRFZ24N，IRFZ34N，IRFZ44N，IRFZ48N，IRFP150N，IRFP250N，IRFP260N，IRFP264，IRFP450，IRFP460，IRFP460A，IRFBE30，MBR20100CTK，8ETH06，15ETH06，IRFP150，IRFP350，IRFP360，IRFD120，IRFP460LC，IRFP054N，IRFP064N，IR2520D，IRLML2502，IRLML6302，IRL3803S，IRF5210，IRFP9240，IRFP240，2SK2645，MC33063ADR2G，MC34063ADR2G，STP60NF06，STP30NF10，VIPER22A，VIPER12A，STP75NF75，STP65NF06，STP55NF06，MUR860G，11DQ10，IRF610，IRF9610，IRF5210，IRFR120N，IRFR220N
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘镇双
- 电话：0755-61303735
- 传真：0755-61303735
- 手机：
- QQ ：
一系列低压双P沟道增强型场效应MOSFET管集成电路IC
信息内容：AO4803A可代替4953A 双P场效应管：AO4801 AO SOP-8 双P -30V -5AAO4803 AO SOP-8 双P 30V -7AAO4805L AO SOP-8 双P -30V -8AAO4807 AO SOP-8 双P -30V -6AAO4813 AO SOP-8 双P -30V -7.1AAO4815 AO SOP-8 双P -30V -8AFDS4935A FAIRCHILD SOP-8 双P -30V -7AFDS4953 AP/富鼎 SOP-8 双P -30V -5A
一系列P沟道MOSFET贴片场效应晶体管
信息内容：品牌：vishay 封装：SOT-23 SI2301特点: 晶体管类型：P沟道MOSFET功耗PD：1.25W栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）漏源电压VDS：－20V（极限值）漏极电流ID：－2.3A通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）栅极漏电流IGSS：±100nA结温:-55℃to+150℃封装：SOT-23(TO-236)替代型号：NCE2301 RTM2301 ACE2301 CMT2301 STS2301 SI2301主要应用于数码摄像机领域 "
