品牌:BGS | 型号:P沟道功率MOS管 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 开启电压:2- -4(V) |
夹断电压:20- -40(V) | 跨导:1(μS) | 极间电容:1(pF) |
低频噪声系数:1(dB) | 漏极电流:1- -12(mA) | 耗散功率:1-5w(mW) |
公司供应型号:
N-650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;
N-600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;
N-500V系列:BF830,BF840;
N-400V系列:BF730,BF740;
N-200V系列:BF630,BF640;
N-100V系列:BF540,BF3710,BF3410;
N-75V系列:75NF75;
N-60V系列:50N06;
N-55V系列:BF3205;
N-30V系列:2304,3010S,3050K,3080K,30H10,30H21;
P-30V系列:3401,3407,9435,4953,4403,4435,3013S;
N-20V系列:2302,8201;
P-20V系列:2301;
P-8V系列:2305
品牌:BGS型号:大电流大功率MOS场效应管种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:V-FET/V型槽MOS封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:2-4(V) 夹断电压:100-680(V) 跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:1- -100A(mA) 耗散功率:20- -300W(mW) 公司供应型号:650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;500V系列:BF830,BF840;400V系列:BF730,BF740;200V系列:BF630,BF640;100V系列:BF540,BF3710,BF3410;75V系列:75NF75;60V系列:50N06;55V系列:BF3205;N-30V系列:2304,3010S,3050K,3080K,30H10,30H21;P-30V系列:3401,3407,9435,4953,4403,4435,3013S;N-20V系列:2302,8201;P-20V系列:2301;P-8V系列:2305
品牌:BGS型号:BF1010种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:A/宽频带放大封装外形:CER-DIP/陶瓷直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:64(V) 夹断电压:64(V) 跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:1(mA) 耗散功率:1(mW) 产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)ΩBF1010场效应晶体管TO-220 84600.013 BF1010是N沟道增强型场效应晶体管,其特点如下: 1.低栅极电荷z 2. 低Crssz 3.开关速度快z 4.产品全部经过雪崩测试z 5.高抗dv/dt 能力z 6.RoHS 产品