厂家直销BF1010场效应管MOS管
| 价 格： | 0.50 |
| 品牌：BGS | 型号：BF1010 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：A/宽频带放大 |
| 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：64（V） |
| 夹断电压：64（V） | 跨导：1（μS） | 极间电容：1（pF） |
| 低频噪声系数：1（dB） | 漏极电流：1（mA） | 耗散功率：1（mW） |
| 产品名称 | 产品类型 | 封装类别 | 应用领域 | 典型参数 | 产品特性说明 | ||
| ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON)Ω | |||||
| BF1010 | 场效应晶体管 | TO-220 | 84 | 60 | 0.013 | BF1010是N沟道增强型场效应晶体管,其特点如下： 1.低栅极电荷 z 2. 低Crss z 3.开关速度快 z 4.产品全部经过雪崩测试 z 5.高抗dv/dt 能力 z 6.RoHS 产品 | |
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厂家直销场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压节能灯
信息内容：品牌：BGS型号：3N50种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：A/宽频带放大封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：500（V） 夹断电压：500（V） 跨导：1（μS） 极间电容：1（pF） 低频噪声系数：1（dB） 漏极电流：3（mA） 耗散功率：1（mW） 产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)Ω3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压节能灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体管，主要用于电子整流器、常压节能灯等应用电路。 其特点如下：1.低栅极电荷2. 低Crss3.开关速度快4.产品全部经过雪崩测试5.高抗dv/dt 能力6.RoHS 产品公司供应型号：200V及以下系列：3170,540，630,640,75N75,90N03;400V--500V系列：730，740；3N50，830，840；600V系列：1N60，2N60，4N60，5N60,7N60,8N60,10N60,12N60;"
厂家直销BF730场效应管MOS管，应用于电子整流器、常压节能灯
信息内容：品牌：BGS型号：BF730种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：V-FET/V型槽MOS封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：2-4（V） 夹断电压：430（V） 跨导：4.5S（μS） 极间电容：1（pF） 低频噪声系数：1（dB） 漏极电流：6A（mA） 耗散功率：75W（mW） 规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxTypMaxBF73067540024±300.850.9TO251/220电子整流器、常压节能灯 公司供应型号：650V系列：1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;600V系列：1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;500V系列：BF830,BF840;400V系列：BF730,BF740;200V系列：BF630,BF640;100V系列：BF540,BF3710,BF3410;75V系列：75NF75;60V系列：50N06;55V系列：BF3205;N-30V系列:2304,3010S,3050K,3080K,30H10,30H21;P-30V系列:3401,3407,9435,4953,4403,4435,3013S;N-20V系列：2302，8201；P-20V系列：2301;P-8V系列：2305；
