品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:3sk77-GR | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:HF/高频(射频)放大 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:20(V) |
夹断电压:2.5(V) | 低频跨导:NA(μS) | 极间电容:NA(pF) |
低频噪声系数:NA(dB) | 漏极电流:3(mA) | 耗散功率:1(mW) |
TOSHIBA高频,射频场效应管3Sk77-GR
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是否提供加工定制:否品牌:Anachip型号:ATS177种类:磁敏材料:混合物材料物理性质:半导体材料晶体结构:多晶制作工艺:集成输出信号:开关型防护等级:na线性度:na(%F.S.) 迟滞:na(%F.S.) 重复性:na(%F.S.) 灵敏度:na漂移:na分辨率:na供应霍尔元件 ATS177M 现货免责声明:(商品价格与库存量有变动性)为了方便管理阿里网上店铺,商品一律设价为0.08/pcs,具体请实时联系为准。
品牌:NEC/日本电气型号:N13T1控制方式:可编程极数:三极封装材料:塑料封装封装外形:TO92关断速度:高频(快速)散热功能:不带散热片功率特性:小功率频率特性:变频额定正向平均电流:0.8(A) 控制极触发电压:1(V) 控制极触发电流:1(mA) 正向重复峰值电压:200(V) 反向阻断峰值电压:NA(V) 声明:商品参数只供参考,具体请查证自家现货库存,NEC排带,原货,质量有保证,若不是质量问题,恕不接受退货,热诚欢迎惠顾量多或更多优惠请联系颜先生,电话:0754-84482252;13360811156"