IRFP23N50L 23N50增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 7.45 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFP23N50L |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 详见祥数（V） |
| 夹断电压 | 详见祥数（V） | 低频跨导 | 详见祥数（μS） |
| 极间电容 | 详见祥数（pF） | 低频噪声系数 | 详见祥数（dB） |
| 漏极电流 | 详见祥数（mA） | 耗散功率 | 详见祥数（mW） |
现货供应，保证原装。
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本公司主要经营：二三极管、场效应管、可控硅、光耦、肖特基、快恢复、钽电容、电容、电感等各种电子元件。本司秉着“信誉”的服务宗旨，“热情、诚信、负责”的工作态度，向广大新老客户提供合理的价格、优质的产品、快捷的供货服务。我们真诚地希望与各地厂商携手合作，共创美好未来！
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双向可控硅BT134-600D BT134(图)
信息内容：品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BT134-600D 控制方式 双向 极数 多极 封装材料 塑料封装 封装外形 TO-126 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 功率特性 中功率 频率特性 中频 额定正向平均电流 祥见参数（A） 控制极触发电压 祥见参数（V） 控制极触发电流 祥见参数（mA） 正向重复峰值电压 祥见参数（V） 反向阻断峰值电压 祥见参数（V）
0603-104K 陶瓷瓷介电容
信息内容：品牌/商标 SAMSUNG(三星) 型号/规格 0603-104K 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 祥见参数 外形 方块状 功率特性 中功率 频率特性 中频 调节方式 固定 允许偏差 ±10（%） 耐压值 50（V） 等效串联电阻(ESR) 祥见参数（mΩ） 标称容量 0.1UF（uF） 损耗 祥见参数 额定电压 50（V） 额定电流 祥见参数（mA）
