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场效应管IPB020N04NG(图)

价 格: 1.00

品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPB020N04NG种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:40(V)
夹断电压:40(V) 跨导:50(μS) 极间电容:6000(pF)
低频噪声系数:24(dB) 漏极电流:500(mA) 耗散功率:500(mW)

供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG

蔡楚杰
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
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场效应管FR48Z

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:FR48Z种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:HEMT高电子迁移率开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z

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场效应管IRF1324S-7P(图)

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:IRF1324S-7P种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:24(V) 夹断电压:24(V) 跨导:24(μS) 极间电容:5000(pF) 低频噪声系数:250(dB) 漏极电流:500(mA) 场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P

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