品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:IPB020N04NG | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:40(V) |
夹断电压:40(V) | 跨导:50(μS) | 极间电容:6000(pF) |
低频噪声系数:24(dB) | 漏极电流:500(mA) | 耗散功率:500(mW) |
供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG供应场效应管IPB020N04NG
品牌:IR/国际整流器型号:FR48Z种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:HEMT高电子迁移率开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z供应场效应管FR48Z
品牌:IR/国际整流器型号:IRF1324S-7P种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:24(V) 夹断电压:24(V) 跨导:24(μS) 极间电容:5000(pF) 低频噪声系数:250(dB) 漏极电流:500(mA) 场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P