场效应管FR48Z
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：FR48Z | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：HEMT高电子迁移率 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | 极间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | 漏极电流：45（mA） | 耗散功率：45（mW） |
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场效应管IRF1324S-7P(图)
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRF1324S-7P种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MOS-FBM/全桥组件封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：24（V） 夹断电压：24（V） 跨导：24（μS） 极间电容：5000（pF） 低频噪声系数：250（dB） 漏极电流：500（mA） 场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P场效应管IRF1324S-7P
场效应管IRFR18N15D
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFR18N15D种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MOS-TPBM/三相桥封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GaAS-FET砷化镓开启电压：30（V） 夹断电压：30（V） 跨导：45（μS） 极间电容：45（pF） 低频噪声系数：45（dB） 漏极电流：5（mA） 耗散功率：45（mW） 原装现货供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D供应场效应管IRFR18N15D
