高压场效应管STB25NM50N(图)
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌：ST/意法 | 型号：STB25NM50N | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：500（V） |
| 夹断电压：500（V） | 跨导：24（μS） | 极间电容：560（pF） |
| 低频噪声系数：24（dB） | 漏极电流：500（mA） | 耗散功率：600（mW） |
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场效应管FR3518
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：FR3518种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MW/微波封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GaAS-FET砷化镓开启电压：30（V） 夹断电压：30（V） 跨导：45（μS） 极间电容：45（pF） 低频噪声系数：45（dB） 漏极电流：45（mA） 耗散功率：45（mW） 原装现货供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518"
场效应管FR3911
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：FR3911种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MW/微波封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GaAS-FET砷化镓开启电压：30（V） 夹断电压：30（V） 跨导：45（μS） 极间电容：45（pF） 低频噪声系数：45（dB） 漏极电流：45（mA） 耗散功率：45（mW） 原装现货供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911"
