品牌:IR/国际整流器 | 型号:FR3518 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:45(μS) | 极间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装现货供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518供应场效应管FR3518
"品牌:IR/国际整流器型号:FR3911种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911供应场效应管FR3911"
品牌:IR/国际整流器型号:FR1N60A种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:30(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A供应场效应管FR1N60A