品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK1875-V | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 |
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 开启电压:12(V) |
夹断电压:120(V) | 跨导:10(μS) | 极间电容:10(pF) |
低频噪声系数:10(dB) | 漏极电流:10(mA) | 耗散功率:110(mW) |
2011+全新原装现货,东芝己对此料宣称停产,
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