场效应管IRFL014
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRFL014 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：NF/音频(低频) |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：ALGaAS铝镓砷 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | 极间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | 漏极电流：45（mA） | 耗散功率：45（mW） |
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场效应管IRFL214
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFL214种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：MW/微波封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：30（V） 夹断电压：30（V） 跨导：30（μS） 极间电容：45（pF） 低频噪声系数：45（dB） 漏极电流：45（mA） 耗散功率：45（mW） 供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214
场效应管FDP2552
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDP2552种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：MW/微波封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：150（V） 夹断电压：150（V） 跨导：30（μS） 极间电容：30（pF） 低频噪声系数：3（dB） 漏极电流：45（mA） 耗散功率：45（mW） 原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552
