品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFL214 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:30(μS) | 极间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214供应场效应管IRFL214
品牌:FAIRCHILD/仙童型号:FDP2552种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:150(V) 夹断电压:150(V) 跨导:30(μS) 极间电容:30(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552原装供应场效应管FDP2552
品牌:INFINEON/英飞凌型号:BSP295种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:50(V) 夹断电压:50(V) 跨导:24(μS) 极间电容:500(pF) 低频噪声系数:25(dB) 漏极电流:500(mA) 耗散功率:500(mW) 供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295供应场效应管BSP295