品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP054V | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:45(μS) | 极间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装供应场效应管IRFP054V
原装供应场效应管IRFP054V
原装供应场效应管IRFP054V
原装供应场效应管IRFP054V
原装供应场效应管IRFP054V
原装供应场效应管IRFP054V
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品牌:IR/国际整流器型号:IRFP064N种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:4(μS) 极间电容:5(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N
品牌:IR/国际整流器型号:IRFL014种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:NF/音频(低频)封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014