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场效应管IRFP054V

价 格: 0.80

品牌:IR/国际整流器型号:IRFP054V种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V)
夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF)
低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW)

原装供应场效应管IRFP054V

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蔡楚杰
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
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场效应管IRFP064N

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:IRFP064N种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:4(μS) 极间电容:5(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N原装供应场效应管IRFP064N

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信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:IRFL014种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:NF/音频(低频)封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014供应场效应管IRFL014

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