品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP048 | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:45(V) |
夹断电压:4545(V) | 跨导:45(μS) | 极间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装供应场效应管IRFP048
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"品牌:IR/国际整流器型号:IRFP1405种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-INM/独立组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:45(V) 夹断电压:45(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405
品牌:IR/国际整流器型号:IRFP054V种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V