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场效应管IRFP048

价 格: 0.80

品牌:IR/国际整流器型号:IRFP048种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MW/微波
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:45(V)
夹断电压:4545(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF)
低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW)

原装供应场效应管IRFP048

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蔡楚杰
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场效应管IRFP1405

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:IRFP1405种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-INM/独立组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:45(V) 夹断电压:45(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405原装供应场效应管IRFP1405

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场效应管IRFP054V

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:IRFP054V种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V原装供应场效应管IRFP054V

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