价 格: | 面议 |
型号:BT137-800G(8A,800V) | 电流:8(A) | 电压:≥800(V) |
触发电流:<50 mA(A) | 结温:110(℃) | 封装形式:TO-220AB(220半塑封) |
?产品类别:8A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 |
?工业型号:BT137-800G |
?封装形式:TO-220AB(220半塑封) |
?电流/IT(RMS):≥ 8 A |
?电压/VDRM:≥800V |
?触发电流/IGT: |
IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(象限) |
IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) |
IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) |
IGTⅣ(T2-G+):≤75 mA(第四象限) |
?触发电压/VGT:0.7~1.5V |
?门极散耗功率:0.1W |
?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
?器件品牌:KKG-HAOHAI |
?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K |
?库存状况:接受订货、可长期供应 |
型号:BT137X-800E(8A,800V)电流:8(A) 电压:≥800(V) 触发电流:<10 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220FP、SOT-186A(220全塑封) ?产品类别:8A 四象限 全塑封 双向可控硅 ?工业型号:BT137X-800E ?封装形式:TO-220FP(全塑封)SOT186A ?电流/IT(RMS):≥ 8 A ?电压/VDRM:≥800V ?触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):2.5~10 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):4.0~10 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):5.0~10 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):11~25 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:0.7~1.5V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:KKG-HAOHAI ?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K ?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)
型号:MCR25N电流:25(A) 电压:1000-1200(V) 触发电流:30mA(A) 结温:125(℃) 封装形式:TO-220AB MCR25N公司自主品牌产品产品性能:高压-塑封-单向可控硅产品型号:MCR25N主要参数:25A,≥1000V,IGT≤30mA 部份规格超过1200V出厂批号:KKG0630封装形式:TO-220AB包装规格:管装,每管50只,每盒1000只环保区分:无铅品种,提供SGS环保认证可代替其它品牌的产品型号:BT152-600R,BT152-800R,SCP20C60MCR12M,MCR12N,MCR16,MCR16NTYN812,TYN1012,TYN625TYN825,TYN1025,TYN1225