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贴片可控硅BT151-500R

价 格: 面议

型号:BT151-500R电流:12(A) 电压:500V(V)
触发电流:15mA(A) 结温:125(℃) 封装形式:DPAK(无铅产品)

?产品类别:贴片单向可控硅-SCRsThyristors
?产品性能:12A 塑封单向
?工业型号:BT151-500R  (飞利浦型号)
?封装外形:TO-252DPAK)贴片封装
?管脚排列:K-A-G K-CathodeA-AnodeG-Gate
?电流/IT(RMS):≤12 A ITSM: 100 A IT(AV): 7.5 A
?电压/VDRM:≥500V
?触发电流/IGTGate trigger currentVD=12VIT=0.1A
 215 mA(中间值值)(毫安)
?触发电压/VGT 0.61.5 V
?门极散耗功率:0.5W
?工作温度/Tj-40~+110°C  (储存温度: -40~+150)
?器件品牌:KKGHaohai Electronics
?包装规格:管装,每管50PCS,每盒1KPCS
?库存状况:大量现货。可长期稳定供应

深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴菊华
  • 电话:755-27832499
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可控硅BTA41-800B

信息内容:

型号:BTA41-800B电流:40(A) 电压:800(V) 触发电流:50mA(A) 结温:125(℃) 封装形式:TOP3 ?产品类别:40A四象限绝缘型高压双向可控硅 ?工业型号:BTA41-1000B ?封装形式:TOP3(塑封) ?电流/IT(RMS):≥ 40 A ?电压/VDRM:≥ 1000V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:<1.3 V ?门极散耗功率:1 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:KKG-HAOHAI ?产品说明:也可提供性能/参数相同之代替品 ?包装规格:管装/盒装,每管25只每盒500只 ?本年度公司重点生产产品

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全塑封可控硅BT139X-600E

信息内容:

型号:BT139X-600E(全塑封)电流:16(A) 电压:≥600(V) 触发电流:<10 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220FP、SOT-186A(220全塑封) ?产品类别:16A 四象限 全塑封 双向可控硅 ?工业型号:BT139X-600E ?封装形式:TO-220FP(全塑封)SOT186A ?电流/IT(RMS):≥16 A ?电压/VDRM:≥600 V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):2.5~10 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):4.0~10 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):5.0~10 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):11~25 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:0.7~1.5V ?门极散耗功率:0.1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:Philips ?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K ?库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

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