可控硅BTA41-800B
| 价 格： | 面议 |
| 型号：BTA41-800B | 电流：40（A） | 电压：800（V） |
| 触发电流：50mA（A） | 结温：125（℃） | 封装形式：TOP3 |
| ?产品类别:40A四象限绝缘型高压双向可控硅 |
| ?工业型号:BTA41-1000B |
| ?封装形式:TOP3（塑封） |
| ?电流/IT(RMS):≥ 40 A |
| ?电压/VDRM:≥ 1000V |
| ?触发电流/IGT： |
| IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA（象限） |
| IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA（第二象限） |
| IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA（第三象限） |
| IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA（第四象限） |
| ?触发电压/VGT:＜1.3 V |
| ?门极散耗功率:1 W |
| ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
| ?器件品牌:KKG-HAOHAI |
| ?产品说明:也可提供性能/参数相同之代替品 |
| ?包装规格:管装/盒装,每管25只每盒500只 |
| ?本年度公司重点生产产品 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
- 电话：755-27832499
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全塑封可控硅BT139X-600E
信息内容：型号：BT139X-600E(全塑封)电流：16（A） 电压：≥600（V） 触发电流：＜10 mA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-220FP、SOT-186A(220全塑封) ?产品类别：16A 四象限 全塑封 双向可控硅 ?工业型号：BT139X-600E ?封装形式：TO-220FP（全塑封）SOT186A ?电流/IT(RMS)：≥16 A ?电压/VDRM：≥600 V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：2.5～10 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：4.0～10 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：5.0～10 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：11～25 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：0.7～1.5V ?门极散耗功率：0.1W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：Philips ?包装规格：管装，每管50，每盒1K，每箱6K ?库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应）
向可控硅C106D
信息内容：型号：C106D电流：4（A） 电压：≥400（V） 触发电流：5-200 uA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-126(半塑封) ?产品类别：4A 单向可控硅-SCRs ?产品性能：Thyristors logic level ?工业型号：C106D (摩托罗拉型号/安森美型号) ?封装外形：TO-126 (126半塑封，TO-225AA) ?管脚排列：K-A-G (K-Cathode；A-Anode；G-Gate) ?电流/IT(RMS)：≤4 A (ITSM: ≤20 A ；IT(AV): ≤2.5 A) ?电压/VDRM：≥400V ?触发电流/IGT：Gate trigger current (VD=12V；IT=0.1A) 15～200 ?A (中间值～值) (微安) ?触发电压/VGT： 0.4～1.5 V (Gate trigger voltage) ?门极散耗功率：0.5W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG（Haohai Electronics） ?包装规格：袋装，每包250PCS，每盒5KPCS ?供应状况：现货供应
