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单向可控硅 CT502(图)

价 格: 面议

品牌:国产型号:CT502控制方式:单向
极数:三极封装材料:塑料封装封装外形:TO-92M
关断速度:普通散热功能:不带散热片频率特性:低频
功率特性:小功率额定正向平均电流:2(A) 控制极触发电流:10-30(mA)
反向重复峰值电压:500(V)

产品广泛适用于变频电路 调温 调光 调速电路 电扇  洗衣机 微波机 空调控制电路 其他控制电路

 

特点:
1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控 制电路.
2.采用N型NTD硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.
3.断态峰值电压高,低的VTM及离散性小的IGT.。

 

额定值(Ta=25℃)
断态重复峰值电压 VDRM   500V
通态平均电流 IT(AV)    2A
通态(不重复)浪涌电流  ITSM    20A
控制极平均功率 PC(AV)         0.2W
贮存温度 T-40~110℃

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深圳市威国科技发展有限公司
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信息内容:

品牌:SI型号:BUL6802应用范围:功率材料:锗极性:NPN型击穿电压VCBO:600(V) 集电极允许电流ICM:1.2(A) 集电极耗散功率PCM:25(W) 结构:平面型封装形式:TO-126封装材料:塑料封装厂家特价直销.节能灯专用.欢迎来电咨询! 2:MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ ) BUL6802 TO-126symbolparametervalueunitsVcbo Collector-Base Voltage600VVceo Collector-Emitter Voltage450VVebo Emitter-Base Voltage9VIc Collector Current-Continuous1.2APcCollector Power Dissipation25WTJJunction Temperature150℃TstgStorage Temperature-65-150℃ "

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品牌:国产型号:S8550D应用范围:功率材料:锗极性:NPN型击穿电压VCBO:40(V) 集电极允许电流ICM:0.8(A) 截止频率fT:150(MHz) 结构:扩散型封装形式:TO-92封装材料:金属封装大量现货,欢迎来电查询! MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitter-Base Voltage -6 VIC Collector Current -Continuous -800 mATJ, Tstg Junction and Storage Temperature -55-150 ℃

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