整流二极管1N4007
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SILICON RECTIFIER
对整流管的检查方法
首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几拾万Ω、而电阻值小的仅几佰Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏不能使用。常用参数（1）平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV
（3）反向电流IR：它是二极管在反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）工作频率fm：它是二极管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及反向瞬态电压下的反向恢复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
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供应BSS84LT1G
信息内容：Power MOSFET 130 mA, 50 V晶体管极性: P-Channel汲极/源极击穿电压: 50 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流: 130 mA电阻汲极/源极 RDS（导通）: 10 Ohms配置: Single工作温度: 150 C安装风格: SMD/SMT封装 / 箱体: SOT-23封装: Reel下降时间: 1 ns最小工作温度: - 55 C功率耗散: 0.225 W上升时间: 1 ns工厂包装数量:3000典型关闭延迟时间: 16 ns
供应FDS8880
信息内容：N-Channel PowerTrench MOSFET晶体管极性: N-Channel汲极/源极击穿电压: 30 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流: 11.6 A电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.01 Ohms配置: Single Quad Drain Triple Source工作温度: 150 C安装风格: SMD/SMT封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow封装: Reel下降时间: 15 ns最小工作温度: - 55 C功率耗散: 2.5 W上升时间: 27 ns工厂包装数量:2500典型关闭延迟时间: 38 ns零件号别名: FDS8880_NL "
