供应BSS84LT1G
| 价 格： | 0.26 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | BSS84LT1G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 12 | |
| 极间电容： | 1 | |
| 漏极电流： | 20 |
Power MOSFET 130 mA, 50 V
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 50 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流: 130 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 10 Ohms
配置: Single
工作温度: 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
下降时间: 1 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.225 W
上升时间: 1 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间: 16 ns
- 所属城市：上海 上海市
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- 联系人： 李伟
- 电话：021-69197467
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供应FDS8880
信息内容：N-Channel PowerTrench MOSFET晶体管极性: N-Channel汲极/源极击穿电压: 30 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流: 11.6 A电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.01 Ohms配置: Single Quad Drain Triple Source工作温度: 150 C安装风格: SMD/SMT封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow封装: Reel下降时间: 15 ns最小工作温度: - 55 C功率耗散: 2.5 W上升时间: 27 ns工厂包装数量:2500典型关闭延迟时间: 38 ns零件号别名: FDS8880_NL "
供应SM6T15CA
信息内容：TRANSILTM极性: Bidirectional钳位电压: 27.2 V工作电压: 12.8 V封装 / 箱体: SMB击穿电压: 15 V端接类型: SMD/SMT峰值浪涌电流: 1 mA峰值脉冲功率耗散: 600 W电容: 1900 pF工作温度: 150 C最小工作温度: - 55 C封装: Reel尺寸: 5.6 mm W x 4.6 mm L x 2.45 mm H系列: SM6T工厂包装数量: 2500
