贴片三极管9013
| 价 格： | 32.00 |
| 是否提供加工定制：是 | 品牌：长电 | 型号：S9013 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | 极性：NPN型 |
| 集电极允许电流ICM：20（A） | 集电极耗散功率PCM：0.625（W） | 截止频率fT：30（MHz） |
| 结构：点接触型 | 封装形式：贴片型 | 封装材料：塑料封装 |
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NPN 贴片 低频放大 50V0.5A0.625WC9013 NPN三极管
集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA
发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V
发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V
集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V
集电极、发射极饱和压降VCE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 0.6 V
基极、发射极饱和压降VBE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 1.2 V
基极、发射极压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300
HFE2 VCE=1V,IC=500mA 40
1.2
参数符号标称值单位
集电极、基极击穿电压VCBO 30 V
集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V
发射极、基极击穿电压VEBO 5 V
集电极电流IC 500 mA
集电极功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300
TO-92
1. 发射极 E
2. 基 极 B
3. 集电极 C
F G H1 H2 I1 I2
96-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300
"
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三极管S9014
信息内容：是否提供加工定制：是品牌：长电型号：S9014应用范围：放大材料：硅(Si)极性：NPN型集电极允许电流ICM：10（A） 集电极耗散功率PCM：5（W） 截止频率fT：30（MHz） 结构：点接触型封装形式：直插型封装材料：塑料封装 C9014 NPN三极管△主要用途：作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、DVD、电动玩具等电子产品（与C9015互补）参数符号测试条件最小值典型值值单 位集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA 0.25 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 60 V集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 150 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数（Ta=25℃）（按HEF1分类）标准分档： B：100-300 C：200-600 D:400-1000TO-921. 发射极 E2. ...
长电/国产ST/科威小功率三极管S8550
信息内容：是否提供加工定制：是品牌：国产型号：S8550应用范围：开关材料：硅(Si)极性：PNP型集电极允许电流ICM：-0.5（A） 集电极耗散功率PCM：0.625（W） 截止频率fT：150（MHz） 结构：点接触型封装形式：贴片型封装材料：塑料封装 dzsc/18/7825/18782593.jpgS8550 TRANSISTOR（PNP）高频三极管简介：主要用于一般用途放大器，中等功率驱动器及中速开关应用特点：★S8550与S8050互补★优越的HFE线性产品标准：规格（Ｔａ＝２５℃）ＴＯ－９２电特性（Ｔａ＝２５℃）参数符号测试条件最小典型单位集电极－基极击穿电压ＢＶＣＢＯＩＣ＝－０．１ｍＡ－４０Ｖ集电极－发射极击穿电压ＢＶＣＥＯＩＣ＝－１ｍＡ－２０Ｖ发射极－基极击穿电压ＢＶＥＢＯＩＥ＝－０．１ｍＡ－５Ｖ集电极截止电流ＩＣＢＯＶＣＢ＝－３５Ｖ－２００ｎＡ发射极截止电流ＩＥＢＯＶＥＢ＝－４Ｖ－２００ｎＡ直流电流增益ｈＦＥＶＣＥ＝－５Ｖ，ＩＣ＝－５ｍＡ８５４００集电极－发射极饱和电压ＶＣＥ（ｓａｔ）ＩＣ＝－５００ｍＡ，ＩＢ＝－５０ｍＡ－０．６Ｖ基极－发射极饱和电压ＶＢＥ（ｓａｔ）ＩＣ＝－５００ｍＡ，ＩＢ＝－５０ｍＡ－１．２Ｖ特征频率ｆＴＶＣＢ＝－１０Ｖ，ＩＥ＝－５０ｍＡ１００ＭＨ...
