价 格: | 31.00 |
是否提供加工定制:是 | 品牌:国产 | 型号:S8550 |
应用范围:开关 | 材料:硅(Si) | 极性:PNP型 |
集电极允许电流ICM:-0.5(A) | 集电极耗散功率PCM:0.625(W) | 截止频率fT:150(MHz) |
结构:点接触型 | 封装形式:贴片型 | 封装材料:塑料封装 |
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S8550 TRANSISTOR(PNP)
高频三极管
简介:主要用于一般用途放大器,中等功率驱动器及中速开关应用
特点:
★S8550与S8050互补
★优越的HFE线性
产品标准:
规格(Ta=25℃)TO-92
电特性(Ta=25℃)
参数
符号
测试条件
最小典型单位
集电极-基极击穿电压
BVCBOIC=-0.1mA
-40
V
集电极-发射极击穿电压
BVCEOIC=-1mA
-20
V
发射极-基极击穿电压
BVEBOIE=-0.1mA
-5
V
集电极截止电流
ICBOVCB=-35V
-200nA
发射极截止电流
IEBOVEB=-4V
-200nA
直流电流增益
hFE
VCE=-5V,IC=-5mA85
400
集电极-发射极饱和电压VCE(sat)IC=-500mA,
IB=-50mA
-0.6V
基极-发射极饱和电压
VBE(sat)IC=-500mA,
IB=-50mA
-1.2V
特征频率
fT
VCB=-10V,IE=-50mA100
MHz
HFE分档范围:(允许测试误差10%)
C
D
120 200
200 300300/400
参数
符号
规格
单位
集电极-基极电压VCBO
-40
V
集电极电流
IC
-500
mA
集电极功耗
PC
625
mW
结温度
Tj
125
℃
是否提供加工定制:是品牌:长电型号:2N5401应用范围:开关材料:硅(Si)极性:PNP型集电极允许电流ICM:0.6(A) 集电极耗散功率PCM:0.625(W) 截止频率fT:100(MHz) 结构:点接触型封装形式:直插型封装材料:塑料封装 dzsc/18/7825/18782596.jpgdzsc/18/7825/18782596.jpgdzsc/18/7825/18782596.jpg产品型号:2N5401类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):150集电极电流Ic(max)(mA):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):60直流电流增益hFE值(dB):240最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):TO92/-55~150PNP 21E 视频放大 160V0.6A0.625W100MHZ
是否提供加工定制:是品牌:长电型号:C1815应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型集电极允许电流ICM:150(A) 集电极耗散功率PCM:400(W) 截止频率fT:80(MHz) 结构:点接触型封装形式:直插型封装材料:塑料封装 主要参数:Symbol符号Parameter 参数Value数值Units单位VCBOCollector-Base Voltage 集电极-基极电压60VVCEOCollector-Emitter Voltage 集电极-射极电压50VVEBOEmitter-Base Voltage 射极-基极电压5VICCollector Current 集电极电流150mAIBBase Current 基极电流50mAPCCollector Power Dissipation 耗散功率400mW TJ Junction Temperature 结温125 ℃TSTGStorage Temperature 贮藏温度-55 ~ 150℃电参数:Symbol 符号Parameter 参数Test Condition 测试条件Min. 最小Typ. 平均Max. Units 单位ICBOCollector Cut-off Current 集电极截止电流VCB=60V, IE=0--0.1μAIEBOEmitter Cut-off Current 射极截止电流VEB=5V, IC=0--0.1μAhFE1 hFE2DC Current Gain直流电流增益VCE=6V, IC=2mAVCE=6V, IC=150mA7025 -700 - VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压IC=100mA, IB=10mA-0.10.25VVBE (sat)Base-Emitter Saturation Vol...