MOS管 三极管 场效应 IRF630STR IRF630STRRPBF IRF630STRL
| 价 格： | 1.00 |
数据列表 IRF630SPBF
产品相片 D2PAK, TO-263
标准包装 800
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 5.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 43nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 800pF @ 25V
功率 - 3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
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MOS管 三极管 场效应 IRF630NSTRR IRF630NSTRLPBFTR
信息内容：数据列表 IRF630N 产品相片 D2PAK, TO-263 产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK 标准包装 800类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.3A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 575pF @ 25V 功率 - 82W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 带卷 (TR) 产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 IRF630NSTRLPBF-NDIRF630NSTRLPBFTR
MOS管 三极管 场效应 IRF710PBF
信息内容：数据列表 IRF710PBF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.6 欧姆 @ 1.2A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 170pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 "
