MOS管 三极管 场效应 IRF630NSTRR IRF630NSTRLPBFTR
| 价 格： | 0.10 |
数据列表 IRF630N
产品相片 D2PAK, TO-263
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK
标准包装 800
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.3A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 575pF @ 25V
功率 - 82W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF630NSTRLPBF-ND
IRF630NSTRLPBFTR
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
- 手机：
- QQ ：
MOS管 三极管 场效应 IRF710PBF
信息内容：数据列表 IRF710PBF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.6 欧姆 @ 1.2A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 170pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 "
放大器 仪表，运算放大器，缓冲放大器LM324DT LM324D LM324
信息内容：数据列表 LM124,224,324 产品相片 14-SOIC 标准包装 2,500类别 集成电路 (IC) 家庭 线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲放大器系列 -放大器类型 通用 电路数 4 输出类型 - 转换速率 0.4 V/µs 增益带宽积 1.3MHz -3db带宽 - 电流 - 输入偏压 20nA 电压 - 输入偏移 2000µV 电流 - 电源 1.5mA 电流 - 输出 / 通道 70mA 电压 - 电源，单路/双路(±) 3 V ~ 30 V, ±1.5 V ~ 15 V 工作温度 0°C ~ 70°C 安装类型 表面贴装 封装/外壳 14-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） 供应商设备封装 14-SO 包装 带卷 (TR) "
