MOS管 三极管 场效应IRG4PH40K IRG4PH40KPBF IRG4PH40
| 价 格： | 0.10 |
数据列表 IRG4PH40KPbF
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
标准包装 4,000
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 1200V
Vge, Ic时的Vce（开） 3.4V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)（） 30A
功率 - 160W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
其它名称 *IRG4PH40KPBF
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
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MOS管 三极管 场效应 IRG4PH50S IRG4PH50SPBF IRG4PH50
信息内容：数据列表 IRG4PH50SPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 1200V Vge, Ic时的Vce（开） 1.7V @ 15V, 33A 电流 - 集电极 (Ic)（） 57A 功率 - 200W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 "
MOS管 三极管 场效应 IRFB17N20D IRFB17N20 IRFB17N20D-ND
信息内容：数据列表 IRFB17N20D, IRFS(L)17N20D 产品相片 TO-220AB PKG 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 170 毫欧 @ 9.8A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1100pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRFB17N20D "
