MOS管 三极管 场效应 IRFB17N20D IRFB17N20 IRFB17N20D-ND
| 价 格： | 0.10 |
数据列表 IRFB17N20D, IRFS(L)17N20D
产品相片 TO-220AB PKG
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 170 毫欧 @ 9.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1100pF @ 25V
功率 - 3.8W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFB17N20D
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
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MOS管 三极管 场效应 IRFB4710PBF IRFB4710
信息内容：数据列表 IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6160pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件
MOS管 三极管 场效应 IRFI630GPBF IRFI630G IRFI630
信息内容：数据列表 IRFI630G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 3.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.9A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 43nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 800pF @ 25V 功率 - 35W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件 "
