三极管 MOS管 场效应 IRG4PC30U IRG4PC30 IRG4PC30UPBF
| 价 格： | 0.10 |
数据列表 IRG4PC30U
产品相片 TO-247-3
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 2.1V @ 15V, 12A
电流 - 集电极 (Ic)（） 23A
功率 - 100W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC)
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
其它名称 *IRG4PC30U
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRFIBC40G IRFIBC40GPBF IRFIBC40
信息内容：数据列表 IRFIBC40G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 欧姆 @ 2.1A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
MOS管 三极管 场效应IRFIBC40G IRFIBC30GPBF IRFIBC30G
信息内容：数据列表 IRFIBC30G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 1.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 660pF @ 25V 功率 - 35W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
