MOS管 三极管 场效应 IRFIBC40G IRFIBC40GPBF IRFIBC40
| 价 格： | 0.10 |
数据列表 IRFIBC40G
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 欧姆 @ 2.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.5A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V
功率 - 40W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商设备封装 TO-220-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
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MOS管 三极管 场效应IRFIBC40G IRFIBC30GPBF IRFIBC30G
信息内容：数据列表 IRFIBC30G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.2 欧姆 @ 1.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 660pF @ 25V 功率 - 35W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
MOS管 三极管 场效应IRFIBC40G IRFIZ34GPBF IRFIZ34G
信息内容：数据列表 IRFIZ34G 产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 12A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 46nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1200pF @ 25V 功率 - 42W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
